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提供了半导体器件结构。半导体器件结构包括衬底。半导体器件结构包括形成在衬底上方的栅极堆叠件。半导体器件结构包括形成在栅极堆叠件的侧壁上方的间隔件结构。间隔件结构包括介电层、富硅层和保护层。介电层形成在栅极堆叠件和富硅层之间。富硅层形成在介电...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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