半导体器件结构及其形成方法技术

提供了半导体器件结构。半导体器件结构包括衬底。半导体器件结构包括形成在衬底上方的栅极堆叠件。半导体器件结构包括形成在栅极堆叠件的侧壁上方的间隔件结构。间隔件结构包括介电层、富硅层和保护层。介电层形成在栅极堆叠件和富硅层之间。富硅层形成在介电层和保护层之间。富硅层中的硅的第一原子百分比大于约50％。半导体器件结构包括形成在衬底上方的源极/漏极结构。间隔件结构形成在源极/漏极结构和栅极堆叠件之间。本发明专利技术的实施例还涉及形成半导体器件结构的方法。半导体器件结构的方法。半导体器件结构的方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件结构及其形成方法


[0001]本专利技术的实施例涉及半导体器件结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)工业经历了快速增长。IC材料和设计的技术进步已经产生了多代IC。每一代都具有比上一代更小和更复杂的电路。然而，这些进步增加了处理和制造IC的复杂性。
[0003]在IC演进过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)通常增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件(或线))减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。
[0004]然而，由于部件尺寸继续减小，制造工艺继续变得更加难以执行。因此，形成尺寸越来越小的可靠的半导体器件是个挑战。

技术实现思路

[0005]本专利技术的实施例提供了一种半导体器件结构，包括：衬底；栅极堆叠件，设置在所述衬底上方；间隔件结构，设置在所述栅极堆叠件的侧壁上方，其中，所述间隔件结构包括介电层、富硅层和保护层，其中，所述介电层设置在所述栅极堆叠件和所述富硅层之间，其中，所述富硅层设置在所述介电层和所述保护层之间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件结构，包括：衬底；栅极堆叠件，设置在所述衬底上方；间隔件结构，设置在所述栅极堆叠件的侧壁上方，其中，所述间隔件结构包括介电层、富硅层和保护层，其中，所述介电层设置在所述栅极堆叠件和所述富硅层之间，其中，所述富硅层设置在所述介电层和所述保护层之间，并且其中，所述富硅层中的硅的第一原子百分比大于50％；以及源极/漏极结构，设置在所述衬底上方，其中，所述间隔件结构设置在所述源极/漏极结构和所述栅极堆叠件之间。2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述富硅层中的硅的第一原子百分比大于所述保护层中的硅的第二原子百分比。3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述间隔件结构还包括设置在所述富硅层的侧壁上方的氧化物层。4.根据权利要求3所述的半导体器件结构，其中，所述氧化物层与所述富硅层直接接触。5.根据权利要求4所述的半导体器件结构，其中，所述氧化物层设置在所述介电层和所述保护层之间。6.根据权利要求4所述的半导体器件结构，其中，所述氧化物层与所述源极/漏极结构直接接触。7.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述富硅层中的硅的第一原子百分比朝着所述保护层减小。8.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述富硅层在垂直于所述栅极堆叠件的侧壁的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：王尹，王俊尧，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：