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一种半导体器件，其包括：衬底，包括第一区域和第二区域；在第一区域上的第一有源图案和在第二区域上的第二有源图案；在第一有源图案上的第一栅电极和在第二有源图案上的第二栅电极；以及穿透第一栅电极的第一切割图案和穿透第二栅电极的第二切割图案，其中第...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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