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一种半导体装置包括：衬底，其包括由隔离层限定的有源区；掩埋栅结构，其设置在衬底中形成的沟槽中；以及第一掺杂区和第二掺杂区，形成在有源区中并且由沟槽隔开，其中，掩埋栅结构包括共形地覆盖沟槽的栅电介质层；以及栅电极，其包括在栅电介质层上部分地填...
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