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本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，在该制备方法的键合步骤之前，对硅器件层的边缘进行切削，以在键合过程中形成边缘溢出层用以保护硅器件层，此外，通过预处理步骤，将边缘溢出层减薄，以使边缘溢出层的的表面低于硅器件层的表面，从而在边缘溢出层保...
该专利属于盛合晶微半导体（江阴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过盛合晶微半导体（江阴）有限公司授权不得商用。

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