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描述了具有掺杂子鳍状物的全环栅集成电路结构，以及制造具有掺杂子鳍状物的全环栅集成电路结构的方法。例如，集成电路结构包括具有阱掺杂剂的子鳍状物结构。水平半导体纳米线的垂直布置在子鳍状物结构上方。栅极堆叠体围绕水平半导体纳米线的垂直布置的沟道区...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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