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方法包括在封装件上方形成绝缘层。封装件具有随后形成开口的多个位置。在横跨封装件的位置的每个上逐个位置实施第一激光射击。第一激光射击的第一激光光斑与位置的每个重叠。第一激光射击去除绝缘层的位于第一激光光斑下方的第一部分。在横跨封装件的位置的每...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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