温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种闪存储存装置，包括衬底、和设置在所述衬底上的栅堆垛，所述衬底包括沟道区域、源区和漏区，所述沟道区域位于所述源区和所述漏区之间，所述栅堆垛设置在所述沟道区域上，所述栅堆垛由上至下依次为控制栅、阻挡氧化层、电荷俘获层和隧穿氧化层...
该专利属于天津市滨海新区微电子研究院所有，仅供学习研究参考，未经过天津市滨海新区微电子研究院授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。