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实施方式提供一种配线路径较多的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备衬底、及相对于所述衬底而配置在与所述衬底的主面交叉的第1方向的一侧的存储器层。所述存储器层具备：存储单元阵列，具有配置在所述第1方向的多个第1导电层、及与所述多个第1...
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