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本发明公开了一种新型芯片集成封装结构，包括：盖板层、盖板层下方的陶瓷腔体层；陶瓷腔体层内部设有载板层和射频芯片层；陶瓷腔体采用高温共烧陶瓷工艺HTCC，HTCC腔体内设置有多层台阶，用于提供载板支撑和金丝键合，射频和控制走线在台阶处通过金丝...
该专利属于成都华兴大地科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都华兴大地科技有限公司授权不得商用。

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