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本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：衬底，包括第一晶体管区和第二晶体管区；电压调整层，位于所述第一晶体管区；薄栅氧化层，位于所述电压调整层上；厚栅氧化层，位于所述第二晶体管区，至少部分所述厚栅氧化层的致密度与所述薄栅氧化层的致密度不...
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