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三维AND快闪存储器元件及其制造方法技术
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文档序号:36921246
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本公开提供一种三维AND快闪存储器元件,包括:叠层结构,位于介电基底上,其中所述叠层结构包括彼此交替叠层的多个栅极层与多个绝缘层;多个分隔物,将所述叠层结构分隔成多个子区块,所述多个分隔物包括:多个叠层墙,包括彼此交替叠层的多个分隔层与所述...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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