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一种嵌入式装置包括：衬底，所述衬底包括磁随机存取存储器(MRAM)区域，所述MRAM区域具有单元块区域；磁隧道结(MTJ)模块，所述MTJ模块位于所述单元块区域中，每个所述MTJ模块包括MTJ图案；绝缘中间层结构，所述绝缘中间层结构覆盖所述...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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