包括MRAM器件的嵌入式装置制造方法及图纸

一种嵌入式装置包括：衬底，所述衬底包括磁随机存取存储器(MRAM)区域，所述MRAM区域具有单元块区域；磁隧道结(MTJ)模块，所述MTJ模块位于所述单元块区域中，每个所述MTJ模块包括MTJ图案；绝缘中间层结构，所述绝缘中间层结构覆盖所述MTJ模块；以及磁场屏蔽结构，所述磁场屏蔽结构位于所述绝缘中间层结构中并且与所述单元块区域的外部相邻，每个所述磁场屏蔽结构至少从所述MTJ图案的上端面向所述MTJ图案的下端在垂直方向上延伸，并且每个所述磁场屏蔽结构包括铁磁材料。屏蔽结构包括铁磁材料。屏蔽结构包括铁磁材料。

【技术实现步骤摘要】
包括MRAM器件的嵌入式装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年9月13日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0121554的优先权，上述韩国专利申请的内容通过引用整体地并入本文。


[0003]示例实施例涉及包括磁随机存取存储器(MRAM)器件的嵌入式装置。更具体地，示例实施例涉及其中外部磁场被屏蔽的包括MRAM模块的嵌入式装置。

技术介绍

[0004]垂直自旋转移矩(STT)磁随机存取存储器(MRAM)可以是通过磁阻来存储数据的非易失性存储器。垂直STT
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MRAM可以包括其中磁化方向固定的钉扎层和其中磁化方向可以发生改变的自由层。垂直 STT
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MRAM的磁化方向可以是与衬底的表面垂直的方向。自由层的磁化方向可以在与钉扎层的磁化方向相同或相反的方向上对准。

技术实现思路

[0005]根据示例实施例，提供了一种嵌入式装置。所述嵌入式装置可以包括衬底、磁隧道结(MTJ)模块、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种嵌入式装置，所述嵌入式装置包括：衬底，所述衬底包括磁随机存取存储器区域，所述磁随机存取存储器区域具有单元块区域；磁隧道结模块，所述磁隧道结模块位于所述单元块区域中，每个所述磁隧道结模块包括磁隧道结图案；绝缘中间层结构，所述绝缘中间层结构覆盖所述磁隧道结模块；以及磁场屏蔽结构，所述磁场屏蔽结构位于所述绝缘中间层结构中并且与所述单元块区域的外部相邻，每个所述磁场屏蔽结构至少从所述磁隧道结图案的上端面向所述磁隧道结图案的下端在垂直方向上延伸，并且每个所述磁场屏蔽结构包括铁磁材料。2.根据权利要求1所述的嵌入式装置，其中，所述磁场屏蔽结构的所述铁磁材料包括镍、铁、钴及其合金中的至少一种。3.根据权利要求1所述的嵌入式装置，其中，每个所述磁场屏蔽结构包括铁磁图案和围绕所述铁磁图案的表面的种子层图案。4.根据权利要求3所述的嵌入式装置，其中，所述种子层图案包括氧化铝。5.根据权利要求1所述的嵌入式装置，其中，所述磁场屏蔽结构为在截面图中具有侧壁斜度的柱形状，所述柱形状的上直径和所述柱形状的下直径彼此不同。6.根据权利要求1所述的嵌入式装置，其中，每个所述磁场屏蔽结构的上部具有第一内宽度，所述第一内宽度从每个所述磁场屏蔽结构的所述上部向每个所述磁场屏蔽结构的下部逐渐地减小。7.根据权利要求1所述的嵌入式装置，其中，每个所述磁场屏蔽结构的上部具有第一内宽度，所述第一内宽度从每个所述磁场屏蔽结构的所述上部向每个所述磁场屏蔽结构的下部逐渐地增大。8.根据权利要求1所述的嵌入式装置，其中：每个所述磁场屏蔽结构的内宽度从每个所述磁场屏蔽结构的上部向每个所述磁场屏蔽结构的中部逐渐地减小，并且所述内宽度从每个所述磁场屏蔽结构的所述中部向每个所述磁场屏蔽结构的下部逐渐地增大。9.根据权利要求1所述的嵌入式装置，其中，所述磁场屏蔽结构以环形状彼此间隔开，所述环形状围绕所述单元块区域的所述外部。10.根据权利要求1所述的嵌入式装置，其中，每个所述磁场屏蔽结构位于沟槽中，所述沟槽围绕所述单元块区域的所述外部。11.根据权利要求1所述的嵌入式装置，其中，所述磁场屏蔽结构从所述绝缘中间层结构的上部穿过所述绝缘中间层结构和所述衬底垂直地且连续地延伸。12.根据权利要求1所述的嵌入式装置，其中，所述磁场屏蔽结构从所述绝缘中间层结构的上部向所述衬底的表面垂直地延伸。13.根据权利要求1所述的嵌入式装置，其中，所述磁场屏蔽结构从所述绝缘中间层结构的上部垂直...

【专利技术属性】
技术研发人员：金哉勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：