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本申请实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构的制造方法包括：在基底上形成间隔排布的第一掩膜图案层；在第一掩膜图案层内沉积第一介质层；刻蚀第一介质层形成第一沟槽，第一沟槽暴露基底以及第一掩膜图案层的部分侧壁；沿第一沟槽刻蚀基底至第...
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