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碳化硅半导体装置制造方法及图纸
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文档序号:36843943
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超结层交替地具有第一区域和第二区域。元件层设置于超结层的上方。第一区域具有第一部分和位于第一部分与第一主面之间的第二部分。第二区域具有与第一部分相接的第三部分和与第二部分相接且位于第三部分与第一主面之间的第四部分。在与第二主面垂直且与从第一...
该专利属于住友电气工业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。
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