下载碳化硅半导体装置的技术资料

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超结层交替地具有第一区域和第二区域。元件层设置于超结层的上方。第一区域具有第一部分和位于第一部分与第一主面之间的第二部分。第二区域具有与第一部分相接的第三部分和与第二部分相接且位于第三部分与第一主面之间的第四部分。在与第二主面垂直且与从第一...
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