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本发明提供一种超结器件终端结构及其制备方法，终端结构包括：半导体衬底；外延层，位于半导体衬底的表面，外延层包括若干个交替排列的n型柱及p型柱；厚氧化层，覆盖于外延层表面，在每相邻两个p型柱之间对应位置的厚氧化层上设置有贯穿槽；栅氧化层，位于...
该专利属于上海功成半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海功成半导体科技有限公司授权不得商用。

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