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方法包括形成从衬底突出的第一鳍和第二鳍；形成围绕第一鳍和第二鳍的隔离层；在第一鳍上外延生长第一外延区域并且在第二鳍上外延生长第二外延区域，其中，第一外延区域和第二外延区域合并在一起；对第一外延区域和第二外延区域执行蚀刻工艺，其中，蚀刻工艺将...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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