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半导体结构包括：块状半导体衬底；第一多个介电隔离区域，位于块状半导体衬底上方；多个半导体鳍，突出高于第一多个介电隔离区域；第一栅极堆叠件，位于多个半导体鳍的顶面和侧壁上；第二多个介电隔离区域，位于块状半导体衬底上方；台面结构，位于第二多个介...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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