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本发明的实施例提供了晶体管结构及其形成方法。该方法包括：形成包括源极/漏极区和栅电极的晶体管；形成位于源极/漏极区上方并且电连接到源极/漏极区的源极/漏极接触插塞；在源极/漏极接触插塞上方形成第一层间电介质；在第一层间电介质上方形成蚀刻停止...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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