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本发明提供一种半导体器件及其制作方法，包括：衬底，衬底包括有源区；有源区用于形成存储单元和LDMOS；有源区位于隔离结构的两侧分别形成有第一导电类型阱区和第一导电类型漂移区；第一导电类型阱区的上表面形成有相邻的隧穿氧化层和场氧化层；栅极结构...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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