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本发明提供了一种制冷红外探测器及其铟柱的制备方法，应用于半导体技术领域。具体的，其在器件芯片形成形状呈凹型的铟柱或形状呈凸型的铟柱，以及在读出电路芯片上形成形状呈凸型的铟柱或形状呈凹型的铟柱，以保证器件芯片上和读出电路芯片上形成的铟柱形状一...
该专利属于浙江珏芯微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江珏芯微电子有限公司授权不得商用。

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