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本文提供了在不同器件上方形成具有不同功函数金属的半导体器件的技术。该技术可以用于任何数量的集成电路应用中，并且特别地适用于全环栅(GAA)晶体管。在示例中，邻近半导体器件各自包括不同的功函数以用作每个半导体器件的器件栅极电极。更具体地，第一...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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