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公开了形成导电部件的改进方法以及通过该方法形成的半导体器件。在实施例中，方法包括：在第一介电层中提供第一导电部件；在第一介电层上方选择性沉积抗蚀刻层，抗蚀刻层的侧壁与第一介电层的侧壁共末端；在选择性沉积抗蚀刻层之后，在与抗蚀刻层相邻的第一导...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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