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提供了一种具有上再分布结构的半导体封装件。所述半导体封装件的所述上再分布结构包括：上再分布绝缘层，设置在半导体芯片上；第一上再分布线路图案，在所述上再分布绝缘层内部在水平方向上延伸；第一上再分布通路图案，在所述上再分布绝缘层内部在垂直方向上...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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