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本公开提供一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底，包括一密集区以及一开放区；一介电结构，设置在该基底上；一着陆垫，设置在该介电结构中且设置在该密集区上；一第一接触点，设置在该着陆垫上以及设置在该介电结构中；以及一第...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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