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本申请提供一种围栅器件及其制造方法，提供衬底；在衬底上形成具有第一掺杂的缓冲层；缓冲层包括第一掺杂区和位于第一掺杂区上方的第二掺杂区，第一掺杂区的掺杂浓度为第一掺杂浓度，第二掺杂区的掺杂浓度为第二掺杂浓度，第一掺杂浓度高于第二掺杂浓度；在缓...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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