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本发明涉及一种硅基探测器，其在不改变衬底厚度的前提下对器件的p+注入区进行设计和处理，并进行碳注入，增加产生电子
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该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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