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本文提供用于通过在低压条件下提供宽间隙电极间距而在衬底上沉积可灰化硬掩模(AHM)的方法和相关设备。宽间隙电极可有助于在低压条件下控制寄生等离子体，由此实现高选择性、低应力和低氢AHM的形成。所述AHM接着可用于将特征蚀刻到所述衬底的底层中...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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