温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：第一焊盘，位于在第一方向和第二方向上延伸的衬底上；下电极，连接到第一焊盘并且设置在第一焊盘上；第一支撑体层、第二支撑体层和第三支撑体层，设置在下电极的侧壁上，并且在与第一方向和第二方向垂直...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。