【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年8月23日提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0111062的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。
[0003]本专利技术构思涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
[0004]近年来，随着对半导体元件的高容量和高集成度的需求，半导体元件的设计规则也随之减少。这种趋势也出现在作为存储半导体元件之一的DRAM中。每个单元需要特定水平或更大的电容以使DRAM器件运行。
[0005]电容的增大增加了存储在电容器中的电荷的量，并且改善了半导体装置的刷新特性。半导体装置的改善的刷新特性可以提高半导体装置的良率。
[0006]为了增大电容，正在研究用于增大电容器的下电极的纵横比的方法或用于增大电容器的下电极与电介质膜之间的接触面积的方法。
技术实现思路
[0007]本专利技术构思的各方面提供了具有改善的产品可靠性的半导体装置。
[0008]本专利...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一焊盘，所述第一焊盘设置在衬底上，所述衬底在第一方向和与所述第一方向垂直的第二方向上延伸；下电极，所述下电极连接到所述第一焊盘并且设置在所述第一焊盘上；第一支撑体层、第二支撑体层和第三支撑体层，所述第一支撑体层、所述第二支撑体层和所述第三支撑体层均设置在所述下电极的侧壁上，并且在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上顺序地彼此间隔开；电介质膜，所述电介质膜设置在所述下电极以及所述第一支撑体层、所述第二支撑体层和所述第三支撑体层上；以及上电极，所述上电极设置在所述电介质膜上，其中，所述下电极的在所述第一支撑体层和所述第二支撑体层之间的侧壁和所述下电极的在所述第二支撑体层和所述第三支撑体层之间的侧壁中的至少一者包括第一部分和第二部分，所述第一部分包括在所述第一方向上延伸的突起，所述第二部分不包括突起。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二部分是平坦的。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，具有所述第二部分的所述下电极在所述第一方向上的宽度沿着所述第三方向增大或是恒定的。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述下电极的在所述第一支撑体层和所述第二支撑体层之间的侧壁包括所述第二部分和设置在所述第二部分上方的所述第一部分。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述下电极的在所述第二支撑体层和所述第三支撑体层之间的侧壁是平坦的。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述下电极的在所述第二支撑体层和所述第三支撑体层之间的侧壁包括所述第一部分和设置在所述第一部分上方的所述第二部分。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述下电极的在所述第一支撑体层和所述第二支撑体层之间的侧壁是平坦的。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述下电极的在所述第一焊盘和所述第一支撑体层之间的侧壁是平坦的。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述下电极在所述第三方向上的长度大于所述下电极在所述第一方向上的宽度。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述下电极包括沿着所述第一焊盘的上表面在所述第一方向上延伸的第一延伸部和从所述第一延伸部的一端突出并且在所述第三方向上延伸的第二延伸部。11.一种半导体装置，所述半导体装置包括：沟槽，所述沟槽位于衬底内部，所述衬底在第一方向和与所述第一方向垂直的第二方向上延伸；栅电极，所述栅电极填充了所述沟槽的一部分；存储接触，所述存储接触设置在所述栅电极的至少一侧并且连接到所述衬底；第一焊盘，所述第一焊盘位于所述存储接触上；蚀刻停止膜，所述蚀刻停止膜设置在所述第一焊盘的一部分上并且覆盖所述第一焊盘的所述一部分；
下电极，所述下电极穿透所述蚀刻停止膜并且连接到所述第一焊盘；第一支撑体层，所述第一支撑体层设置在所述下电极的侧壁上，并且在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上与所述蚀刻停止膜间隔开；第二支撑体层，所述第二支撑体层设置在所述第一支撑体层上并且在所述第三方向上与所述第一支撑体层间隔...
【专利技术属性】
技术研发人员：秋成旼，权赫宇，金东佑，崔炳德，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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