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公开了一种三维(3D)半导体存储器装置和包括其的电子系统。3D半导体存储器装置可以包括：衬底，其包括第一区域和第二区域；堆叠结构，其包括交替且重复地堆叠在衬底上的层间电介质层和栅电极，并且在第二区域上具有台阶结构；模制结构，其在第一区域上与...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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