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本发明实施例涉及一种沟槽栅晶体管及其制备方法，沟槽栅晶体管包括：半导体材料层、栅极沟槽、栅极、栅介质层、第一电场屏蔽结构和第二电场屏蔽结构；第一电场屏蔽结构和栅介质层在栅极沟槽的侧壁所在的平面上的投影至少部分重合；第二电场屏蔽结构和栅介质层...
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