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本发明涉及一种叠层SOI器件结构及制备方法。该器件结构自上而下依次包括：顶层硅层、隔离层A、配置层、隔离层B、衬底硅层，所述器件结构还包括顶硅层有源区、位于所述顶硅层有源区外端的浅沟槽隔离区、位于所述配置层外端的有源区、依次贯穿所述浅沟槽隔...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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