温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种半导体测试结构及测试方法，提供半导体测试结构，所述半导体测试结构自下而上包括第一金属层，层间介质层和第二金属层，所述第一金属层包括多条平行且间隔排布的金属线，且所述金属线至少包括相邻的第一待测线和第二待测线；形成暴露所述第一...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。