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本公开提供了一种抗辐射硅基二氧化硅光波导器件，衬底(1)；下包层(2)，生长在所述衬底(1)上；芯层(3)，生长在所述下包层(2)上，在所述芯层(3)中设有光波导器件(5)；上包层(4)，生长在所述芯层(3)上；其中，所述芯层(3)的折射率...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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