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本实用新型实施例的各种实施例涉及一种集成芯片(IC)。所述IC包括位于衬底中的第一深沟槽隔离(DTI)结构。介电结构位于衬底之上。内连线结构位于介电结构中。内连线结构包括电耦合在一起的下部内连线结构与上部内连线结构。上部内连线结构包括多个导...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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