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本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括衬底和设置在衬底之上的栅结构。栅结构包括彼此交替层叠的栅电极层和层间绝缘结构。该半导体器件包括设置在衬底之上以接触栅结构的侧壁表面的电介质结构，以及设置在衬底之上的电介质结构的侧壁表面...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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