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本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括提供衬底，衬底包括器件区域及外围区域；于器件区域形成位线结构，于外围区域形成晶体管结构；晶体管结构包括栅极结构，位线结构包括位线导电层及位线保护层；栅极结构包括栅氧化层、高介电常数介质层、栅极导电层...
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