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一种半导体测试结构及其形成方法技术
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文档序号:36328114
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本申请实施例提供一种半导体测试结构及其形成方法,其中,所述方法包括:提供半导体衬底,半导体衬底包括多个间隔排布的有源区;在半导体衬底中形成与有源区之间具有预设距离的第一导电连线;第一导电连线连接在每一所述有源区上形成的有源器件的衬底;形成着...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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