温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，半导体结构的制造方法包括在贯穿导电层的第一开口中形成第一介质层，其中，第一介质层覆盖第一开口的底面及侧面和导电层的顶面，且位于第一开口内的第一介质层围成第二初始开口，第二初始开口顶部的宽...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。