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本公开涉及一种半导体装置的制造方法，包括：在通道结构上方形成栅极介电结构；在栅极介电结构上方形成金属栅极的一个或多个功函数金属层；以含氟材料处理一个或多个功函数金属层；进行一个或多个制程，使氟从含氟材料至少部分扩散至栅极介电结构中。少部分扩...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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