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光学邻近校正方法及使用该方法制造极紫外掩模的方法技术
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文档序号:36178540
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本申请公开了光学邻近校正方法及使用该方法制造极紫外掩模的方法。一种针对具有曲线图案的掩模有效地模仿掩模形貌效应的光学邻近校正(OPC)方法包括:通过使用电磁场模拟来生成近场的边滤波器的库;通过使用该库来生成任意角度边滤波器;对于具有曲线图案...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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