光学邻近校正方法及使用该方法制造极紫外掩模的方法技术

本申请公开了光学邻近校正方法及使用该方法制造极紫外掩模的方法。一种针对具有曲线图案的掩模有效地模仿掩模形貌效应的光学邻近校正(OPC)方法包括：通过使用电磁场模拟来生成近场的边滤波器的库；通过使用该库来生成任意角度边滤波器；对于具有曲线图案的掩模，通过使用薄掩模近似来生成第一掩模图像；判断曲线图案是否满足基准；当曲线图案满足基准时，对曲线图案执行偏斜曼哈顿化，然后通过对曲线图案的边应用任意角度边滤波器来生成第二掩模图像。二掩模图像。二掩模图像。

【技术实现步骤摘要】
光学邻近校正方法及使用该方法制造极紫外掩模的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于2021年6月29日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
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2021
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0084742号，并要求上述专利申请的优先权，上述专利申请的公开内容通过引用整体并入本文。


[0003]本专利技术构思的实施例涉及制造掩模的方法，并且更具体地，涉及光学邻近校正(optical proximity correction，OPC)方法和通过使用OPC方法制造极紫外(extreme ultraviolet，EUV)掩模的方法。

技术介绍

[0004]在半导体工艺中，可以执行使用掩模的光刻工艺以在诸如晶圆等的半导体基底上形成图案。掩模可以简单地定义为图案转移体，其中不透明材料的图案形状形成于透明基材上。可以简要描述制造掩模的过程。首先，可以设计所需电路并且可以设计所需电路的布局，然后，可以将通过使用OPC获得的掩模设计数据作为掩模流片(mask tape
‑
out，MTO)设计数据传输。此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光学邻近校正(OPC)方法，包括：通过使用电磁场模拟来生成近场的边滤波器的库；通过使用所述库来生成任意角度边滤波器；对于具有曲线图案的掩模，通过使用薄掩模近似来生成第一掩模图像；判断所述曲线图案是否满足基准；以及当所述曲线图案满足所述基准时，对所述曲线图案执行偏斜曼哈顿化，然后通过对所述曲线图案的边应用所述任意角度边滤波器来生成第二掩模图像。2.根据权利要求1所述的光学邻近校正(OPC)方法，其中所述偏斜曼哈顿化包括：使所述曲线图案沿第一方向旋转在掩模狭缝的中心和所述掩模狭缝的外缘之间的主光线的方位角差；对所述曲线图案执行曼哈顿化；以及使通过所述曼哈顿化生成的所述曲线图案的所述边沿与所述第一方向相反的第二方向旋转所述方位角差，其中，在生成所述第二掩模图像时，将所述任意角度边滤波器应用于旋转后的边。3.根据权利要求2所述的光学邻近校正(OPC)方法，其中，在执行所述曼哈顿化时，将所述曲线图案的所述边划分为直边，其中，在沿所述第二方向旋转时，所述直边被沿所述第二方向旋转所述方位角差，并且其中，旋转后的直边垂直于或平行于在所述掩模狭缝的所述外缘处的所述主光线的方位角。4.根据权利要求2所述的光学邻近校正(OPC)方法，其中，所述基准是所述曲线图案的大小、所述曲线图案的相邻边之间的角度、或所述曲线图案的曲率、或它们的任意组合。5.根据权利要求2所述的光学邻近校正(OPC)方法，其中，在所述掩模狭缝的所述中心处的所述主光线的所述方位角为大约270
°
，在所述掩模狭缝两侧的最外部分处的所述主光线的方位角分别为大约250
°
和大约290
°
，并且其中，所述方位角差在大约
‑
20
°
至大约20
°
的范围内。6.根据权利要求1所述的光学邻近校正(OPC)方法，其中，所述任意角度边滤波器被生成为垂直滤波器与水平滤波器的组合。7.根据权利要求1所述的光学邻近校正(OPC)方法，其中，所述近场包括极紫外(EUV)光的近场，并且其中，所述主光线的极角为大约6
°
。8.根据权利要求1所述的光学邻近校正(OPC)方法，其中，所述电磁场模拟包括有限差分时域(FDTD)模拟。9.根据权利要求1所述的光学邻近校正(OPC)方法，进一步包括：在生成所述第二掩模图像之后，通过将所述第二掩模图像加到所述第一掩模图像来生成最终掩模图像；以及通过使用所述最终掩模图像来生成光学OPC模型。10.根据权利要求1所述的光学邻近校正(OPC)方法，进一步包括：当所述曲线图案不满足所述基准时，通过对所述曲线图案的所述边应用所述任意角度边滤波器来生成所述第二掩模图像。
11.一种制造极紫外(EUV)掩模的方法，包括：通过使用电磁场模拟来生成近场的边滤波器的库；通过使用所述库来生成任意角度边滤波器；通过将薄掩模近似应用于曲线图案的掩模来生成第一掩模图像；判断所述曲线图案是否满足基准；当所述曲线图案满足所述基准时，对所述曲线图案执行偏斜曼哈顿化，然后通过对所述曲线图案的边应用所述任意角度边滤波器来生成第二掩模图像；通过将所述第二掩模图像加到所述第一掩模图像来生成最终掩模图像；以及通过使用所述最终掩模图像来曝光EUV掩模基底。12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述偏斜曼哈顿化包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔南柯，姜东元，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：