温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本文提供了一种电子器件及其制造方法，该电子器件包括半导体存储器，该半导体存储器包括：存储单元；保护层，其沿存储单元的轮廓来设置；缓冲层，其介于存储单元的至少一部分侧壁与保护层之间，其中，缓冲层与保护层包括氮化硅，以及其中，保护层的密度大于缓...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。