温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

示例性蚀刻方法可包括使含氧前驱物流入半导体处理腔室的处理区域中。所述方法可包括：使容纳在处理区域中的基板与含氧前驱物接触。基板可包括暴露的钌区域，并且所述接触可产生四氧化钌。所述方法可包括：使四氧化钌从暴露的钌区域的表面汽化。可保留一定量的...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。