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本发明提供一种碳化硅切割方法，包括：在碳化硅晶锭表面设置多条平行的加工路径；其中，每个加工路径具有多个加工点位；在每个加工路径的每个加工点位进行氢离子注入，以形成在竖直方向上排列的至少一个氢离子注入层；采用激光束对氢离子注入层沿每个加工路径...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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