碳化硅切割方法技术

本发明专利技术提供一种碳化硅切割方法，包括：在碳化硅晶锭表面设置多条平行的加工路径；其中，每个加工路径具有多个加工点位；在每个加工路径的每个加工点位进行氢离子注入，以形成在竖直方向上排列的至少一个氢离子注入层；采用激光束对氢离子注入层沿每个加工路径按照多个加工点位的分布进行扫描，以实现碳化硅片的剥离。本发明专利技术提供的碳化硅切割方法，能够减小碳化硅切割过程中的材料损耗，提升碳化硅晶片的均匀性和良率，有利于较薄的碳化硅晶片的制备。制备。制备。

【技术实现步骤摘要】
碳化硅切割方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种碳化硅切割方法。

技术介绍

[0002]SiC衬底加工技术是器件制作的重要基础，其表面加工的质量和精度的优劣，直接影响外延薄膜的质量及其器件的性能，因此在其应用中均要求晶片表面超光滑、无缺陷、无损伤，表面粗糙度值达纳米级以下。由于SiC晶体具有高硬、高脆、耐磨性好、化学性质极其稳定的特点，这使得SiC晶片的加工变得非常困难。将SiC晶棒切割成翘曲度小、厚度均匀、低切损的晶片，对于后续的研磨和抛光至关重要。
[0003]目前广泛应用于碳化硅晶锭的切割方法有线切割和双激光加工方法。多线切割工艺原理：多线切割工艺就是将晶锭按照一定的晶向，将晶锭切割成表面平整、厚度均匀的切割片，以便于后面的研磨加工。双激光光束切割加工，即先使用一束激光形成改质层，再使用一束激光加热控制裂纹生长直至裂片。这两种方式都具有效率不高，且切割过程中材料损耗较大的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供的碳化硅切割方法，能够减小碳化硅切割过程中的材料损耗，提升碳化硅晶片的均匀性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅切割方法，其特征在于，包括：在碳化硅晶锭表面设置多条平行的加工路径；其中，每个加工路径具有多个加工点位；在每个加工路径的每个加工点位进行氢离子注入，以形成在竖直方向上排列的至少一个氢离子注入层；采用激光束对氢离子注入层沿每个加工路径按照多个加工点位的分布进行扫描，以实现碳化硅片的剥离。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用激光束对最顶层的氢离子注入层沿每个加工路径的每个加工点位依次进行扫描，以实现碳化硅片的剥离包括：沿一个加工路径按照多个加工点位的分布进行多次扫描，扫描完成后开始下一个加工路径的扫描。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在第一次扫描之后的各次扫描过程中，所述激光束的偏振方向垂直于碳化硅结晶生长方向，以使裂纹扩散方向与水平方向呈4
°
夹角。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，沿一个加工路径按照多个加工点位的分布进行扫描的次数为3
‑
5次。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在每个加工路径的每个加工点位进行氢离子注入包括：在每个加工路径的每个加工点位向单个氢离子注入层注入氢离子的剂量为5
×
10
16
/cm2至1
×
10
...

【专利技术属性】
技术研发人员：文志东，侯煜，张喆，张昆鹏，李曼，石海燕，张紫辰，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：