温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体领域，公开了一种半导体器件及半导体器件的形成方法。该半导体器件包括衬底；源区和漏区；晕环注入区，晕环注入区包括用于防止沟道直接穿通的第一晕环注入子区和用于调节结漏电流的第二晕环注入子区，第一晕环注入子区覆盖于预设区域的底部和...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。