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本申请提供一种半导体结构制备方法，包括：形成沟槽于半导体衬底中；形成氧化层于半导体衬底的表面上以及沟槽的底部和侧壁；透过干法刻蚀部份刻蚀氧化层而形成氧化区，其中氧化区为阶梯状结构；部分刻蚀氧化区以暴露半导体衬底的边缘的表面，刻蚀后氧化区作为...
该专利属于杭州富芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州富芯半导体有限公司授权不得商用。

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